在三星、东芝存储器（tmc）、西部数据、美光、sk海力士等3d技术快速发展的推动下，不仅nand flash快速由2d nand向3d nand普及，2019下半年原厂将加快从64层3d nand向96层3d nand过渡，同时推进下一代128层3d nand技术发展进程。
从2013年三星研发出24层3d nand，到日前sk海力士首发128层1tb 4d nand，原厂快速发展的3d技术使得业内人士预测，2023年有望突破200层，甚至更高，而在这个快速发展的过程中，各家原厂3d nand速度、容量、成本、功耗等都在不断的优化，加强市场竞争力。
2019下半年96层3d nand抢市占，稳固成本竞争力是关键
自2018年开始，全球经济增长趋缓，半导体市场需求下滑，再加上nand flash和dram价格持续表现跌势，原厂库存水位持续攀高，同时asp价格也在持续下滑。据中国闪存市场chinaflashmarket数据统计，2019年q1整体nand flash销售额107.5亿美金，环比减少23%，dram整体销售环比减少了28%至161.5亿美元，在美光最新q3财季中，利润再次同比大跌78%。
到2019下半年，原厂将陆续出货96层3d nand，预计到年底前部分原厂就可实现从64层向96层3d nand的技术过渡，以提高3d技术稳固在市场上的成本竞争力。
64层 vs 96层，如何实现3d nand容量和产量的增加？
▽ 64层tlc 3d nand
目前主流的64层3d nand技术，东芝存储器、三星和美光量产同等容量的512gb，单颗die尺寸大小分别为132mm²、128.5mm²和110.5mm²，用同样大小的wafer晶圆，切割出来的die的颗数，三星和东芝存储器相差无几，而美光的产量因为die的尺寸更小，产出要更高。
3d nand技术对比：
美光3d技术发展路线图
▽ 96层tlc 3d nand
以东芝存储器96层3d nand量产512gb容量为例，单颗die尺寸大小为86.1mm²，相较于上一代的64层3d nand量产512gb，相同大小wafer晶圆条件下，单颗die产量将增加35%，这意味着成本也会随之降低，这也是东芝存储器和西部数据积极采用新一代96层3d nand推出ufs、ssd等新品的主要原因。
另一方面，东芝存储器和西部数据在2019年q1财报中双双表现亏损之势，其中西部数据q3财季净亏损5.81亿美元；东芝存储器q4财季净亏损193亿日元。西部数据计划从2019下半年开始出货96层3d nand，并于年底前实现技术的切换，这将助力提高其在市场低成本的优势，以及获得更多的市场份额。
96层 vs 128层：下一代尺寸更小，容量更大，产量更多
继sk海力士率先发布128层4d nand之后，预计三星、东芝/西部数据、美光等128层3d nand也将会陆续发布，早前已传出东芝和西部数据研发出128层3d nand，美光近期也声称128层3d nand进展顺利，而基于更高层数堆叠的128层3d技术可实现更高的存储容量。
结论1：从32层3d nand发展到128层3d nand，每平方gb量增长了3倍多，这是nand flash容量呈现持续增长趋势的主要因素。
结论2：每一次3d技术升级，量产的die容量相同，die的尺寸不断缩小，同等大小的wafer晶圆产出的die的数量更多，成本也就更低。
要实现128层3d nand在市场上的普及，预计要等到2020年以后，从2021年产量逐步增加，届时nand flash产量将进一步增加，单位成本也将进一步下滑。
东芝存储器（tmc）3d技术发展路线图
新一代3d nand：1.4gbps传输速率，1.2v的工作电压
随着3d技术迭代更新，三星、东芝/西部数据、美光、sk海力士等96层3d nand将在2020年实现大规模普及，并逐步取代64层3d nand。除了sk海力士、长江存储也将导入128层3d nand，3d技术的发展不仅使容量向1tb普及，1.4gbps或更高的传输速度，以及1.2v的工作电压都将成为主流。
▼ sk海力士
日前，sk海力士首发的128层4d nand，能够实现1tb超高密度的nand flash，同时达到1.4gbps的数据传输速率，工作电压降至1.2v，相较于2018年推出的96层512gb tlc 4d nand i/o接口速度1.2gbps，性能提高了17%。
sk海力士3d技术发展路线图
▼ 三星
早在2018年，三星量产的90层以上堆叠的第5代v-nand，采用toggle ddr 4.0传输介面，传输速率就已达到了1.4gbps，工作电压从1.8v降至1.2v。三星2017年64层v-nand的 i/o数据传输速度为1gbps，比48层速度快1.5倍。
三星3d技术发展路线图
▼ 长江存储
长江存储64层nand预计将提前于第3季小量试产，利用xtackingtm技术可大幅提升nand i/o数据传输速度到3.0gbps，并计划在2020年跳过96层3d nand，直接进入128层3d nand堆叠，同时还将在2019年8年推出xtackingtm 2.0，将对128层3d nand技术进一步优化。
长江存储3d技术发展路线图
新一代3d nand将优先满足高端智能型手机市场和ssd需求
近几年，消费类和企业级ssd市场需求强劲，基于128层3d nand的技术优势，sk海力士将在2020上半年大规模生产2tb容量的消费类ssd，这将加快推动消费类ssd需求向tb以上转移，同时降低单位成本，提高消费者向更高容量转移的速度，扩大在市场上的普及率。
企业级市场，sk海力士也将基于128层3d nand推出16tb和32tb容量nvme ssd，满足云和数据中心领域需求，再加上三星、东芝存储器/西部数据、美光等也会跟进128层3d nand，预计16tb和32tb容量的企业级ssd将在2020年倾巢出笼，相较于目前传统hdd 16tb的容量，ssd在容量上已超越hdd。
另外，sk海力士正计划基于128层3d nand在2020上半年为高端旗舰智能型手机客户开发下一代ufs 3.1产品，更高的容量、更快的速度，以及更低的功耗，是下一代移动市场最佳的ag官方登录入口的解决方案，尤其是迎接5g爆发带来的新的应用商机，可为全球智能型手机需求在2020年复苏提供动力。【来源：】